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薄膜炼金术:从原子到芯片的微观革命(四)

金属化及平坦化金属化就是通过真空蒸发或溅射等方法形成金属膜,然后通过光刻、刻蚀,把金属膜的连接线刻画形成金属膜线,这是构成器件功能的关键平坦化就是将晶圆表面起伏不平的介电层加以平坦的工艺。经过平坦化处理后的介电层无悬殊的高低落差,这样,很容易进行接下来的第…

时间:2025-04-28

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薄膜炼金术:从原子到芯片的微观革命(三)

一、物理气相沉积法制备薄膜物理气相沉积(PVD)是以物理方式进行薄膜沉积的一种技术,金属薄膜一般都是用这种方法沉积的PVD主要有三种技术:真空蒸发、溅射以及分子束外延生长。1. 真空蒸发在早期,金属薄膜都是通过物理蒸发沉积形成的。目前真空蒸发技术一般被用在分立元件或…

时间:2025-04-28

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薄膜炼金术:从原子到芯片的微观革命(二)

一、化学气相沉积概述化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition,CVD)是指单独地或综合的利用热能、等离子体、紫外光照射、激光照射等其它形式的能源,使气态物质在固体的热表面上发生化学反应,形成稳定的固态物质,并沉积在晶圆片表面上的一种薄膜制备技术。 用CVD法沉积薄膜…

时间:2025-04-28

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薄膜炼金术:从原子到芯片的微观革命(一)

硅暴露在空气中,即使在室温条件下,在表面也能长成一层有40 左右的二氧化硅膜。这一层氧化膜相当致密,同时又能阻止硅表面继续被氧原子所氧化,而且还具有极稳定的化学性和绝缘性。正因为二氧化硅具有这样的性质,根据不同的需要,人们制备二氧化硅,用来作为器件的保护层和钝…

时间:2025-04-28

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真空镀膜精度:Showerhead喷淋头重塑半导体薄膜工艺

一、喷淋头在真空镀膜中的核心作用气体均匀分布与工艺稳定性功能:喷淋头通过微孔阵列(孔径范围:50–500μm,分布密度:10⁴–10⁶个/cm)将反应气体(如SiH₄、Ti(OEt)₄)均匀输送至晶圆表面,确保薄膜厚度偏差≤1%(300mm晶圆)。案例:在ALD(原子层沉积)中,喷淋头通过…

时间:2025-04-21

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从14nm到3nm:CMP工艺步骤为何翻倍增长?

CMP抛光概念从1965年由Walsh等人提出,发展至今已经成为IC制造工艺中不可或缺的环节之一。CMP技术随着芯片制程技术不断进步,经历过铝、铜、低K介质、钴等多种材料技术进步。在CMP抛光技术的发展历程上有几个关键节点,从0.35μm~0.25μm技术节点开始CMP技术成为唯一可实现全…

时间:2025-04-21

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PECVD工艺中喷淋头的核心角色与未来挑战

喷淋头(Showerhead)作为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺中的核心部件,其设计直接决定了薄膜沉积的均匀性、工艺稳定性和设备寿命。本文从喷淋头的核心功能出发,分析其在PECVD工艺中的技术作用,并结合行业趋势探讨未来面临的挑战与解决方案。一、PECVD喷淋头:薄膜沉…

时间:2025-04-17

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半导体设备Showerhead(喷淋头)与薄膜制备技术

Showerhead在薄膜制备中的作用气体均匀分布:在化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等薄膜制备过程中,Showerhead用于将反应气体均匀分布到晶圆表面。其结构设计(如孔径、孔密度、分布方式)直接影响气体的均匀性,进而影响薄膜的厚度均匀性和成分一致性。温度和压力控…

时间:2025-04-15

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